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由于BaTiO3陶瓷具有较好的介电特性、优良的绝缘特性和环境友好特性，已经发展为制备多层陶瓷电容器最有效的介质材料，但是由于其居里温度较低，大概在125oC左右，极大限制了其在高温XnR型瓷料中的应用，特别是随着电子工业的发展，研究、制备出能在高温条件下工作的宽温稳定型多层陶瓷电容器显得更加迫切。针对以上问题，本论文以商业购买的BaTiO3粉体为包覆对象，采用化学法对BaTiO3粉体进行单层和多层包覆，研究不同层组份及厚度对其显微结构和介电性能的影响。xBi(Zn0.5Ti0.5)O3-(1-x)BaTiO3(简称xBZT-(1-x)BT)陶瓷具有较好的温度稳定性，本论文采用溶胶-凝胶法制备不同组份的xBZT-(1-x)BT陶瓷，重点研究了BZT含量对陶瓷材料物相结构、显微结构以及介电性能的影响。研究结果表明，随BZT含量增大，陶瓷材料由正常铁电体转变为弛豫铁电体，表现出明显的弛豫特性，同时陶瓷最大介电常数εm减小，居里峰被压低展宽，0.3BZT-0.7BT陶瓷的整体介电性能最佳，用于后期对BaTiO3粉体的包覆。Nb、Co常用于改善BaTiO3陶瓷低温端介电温度稳定性，而BZT-BT对BaTiO3陶瓷高温端介电温度稳定性有较好的改性作用，所以本论文通过化学法制备不同含量的Nb、Co或0.3BZT-0.7BT单层包覆的BaTiO3陶瓷材料，重点研究了单层包覆材料壳层组份及厚度(含量)对陶瓷显微结构和介电性能的影响。最终得到性能最优的介电特性为，BT@(0.03Nb-0.01Co)陶瓷在1kHz测试条件下ε=2486，tanδ=0.95%，满足ΔC/C25oC≤±15%的温度范围-63oC~138oC；BT@0.7(0.3BZT-0.7BT)陶瓷在1kHz测试条件下ε=3356，tanδ=3.75%，满足ΔC/C25oC≤±15%的温度范围-7oC~150oC。为了同时改善低温端和高温端的介电温度稳定性，本论文通过多层包覆结构设计，采用化学法制备不同Nb、Co包覆含量的[BT@0.7(0.3BZT-0.7BT)]@(xNb-yCo)陶瓷和不同核壳比的x[BT@(0.03Nb-0.01Co)]@y(0.3BZT-0.7BT)陶瓷，研究发现，对于[BT@0.7(0.3BZT-0.7BT)]@(xNb-yCo)陶瓷体系，当x=0.015，y=0.1时性能最优，ε=1738，tanδ=1.03%，符合ΔC/C25oC≤±15%的温度范围-55oC~175oC；对于x[BT@(0.03Nb-0.01Co)]@y(0.3BZT-0.7BT)陶瓷体系，当shell2厚度较小时，主要是shell1层其主导作用，改善低温端介电温度稳定性，反之，改善高温端介电温度稳定性。