本论文研究了脉冲栅控行波管中，Hf薄膜对抑制栅极电子发射所起的作用，讨论了Hf薄膜的工作机理。实验中，利用射频磁控溅射技术在Mo基底上制备了Hf膜，并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构，随后在N₂保护下，通过在900K到1300K范围内退火，研究栅极处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化，以此解释了Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理。 在模拟二极管中，我们分别测量了经过阴极物质（Ba和BaO）污染后的涂覆Hf膜和没有涂覆Hf的Mo栅的Ⅰ—Ⅴ特性曲线，以判断他们的电子发射能力。然后，对样品表面进行了X—射线衍射（XRD）测量和X—射线光电子能谱（XPS）的测量。结果表明涂覆Hf的Mo栅比没有涂覆Hf的Mo栅的发射电流要小。在测试过程中活性的电子发射物质源源不断地从阴极沉积到阴极表面。由于在阴极表面有了BaHfO3和Ba2HfO4化合物的形成以及Ba—Hf相互扩散这两种现象的发生才使得涂覆有Hf膜的栅能够有效地减少从阴极蒸发过来的电子发射物质，从而降低了栅的电子发射能力。 另外，我们还研究SiC薄膜的一些特性。如我们研究磁控溅射法制备SiC薄膜工艺中，各种参数对SiC薄膜结构和性能的影响。