0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具有器件类型丰富,导通电阻低,成本经济等特点。随着功率市场的不断发展,基于成熟工艺的电压扩展可以帮助设计者以较低的研发成本扩大工艺平台的应用范围从而拓展市场,成为了目前BCD工艺迭代升级的发展方向之一。可集成功率器件LDMOS是BCD工艺中的核心器件之一,在功率集成电路中主要完成电平位移、功率变换以及功率驱动等功能。为了实现优异的功率集成电路性能,LDMOS器件需要在满足高耐压的同时,尽可能地降低其导通电阻以及提高开关频率,但是高耐压与低导通电阻往往会构成矛盾关系,是LDMOS设计中的重点和难点。本文的主要工作内容如下:首先,对低侧NLDMOS的结构以及工作机理进行阐述说明,并对其进行仿真优化设计。对于低侧NLDMOS,对其栅场板长度,包括栅Poly场板、栅金属1场板以及栅金属2场板,在分析各场板的作用以及优缺点后,得出了一种比较优化的场板分布,大幅度提高了器件的关态耐压;也对器件中纵向的NPN RESURF注入进行了仿真优化,NPN RESURF注入包括Ntop、Pbury和Nbury三个层次,本文对该三个层次的注入能量和注入剂量均进行仿真优化,得出了较优化的注入组合,在满足关态耐压的情况下,进一步降低了器件的比导通电阻;还通过优化器件Buffer区的剂量和能量,在基本不影响器件关态耐压和比导通电阻的情况下将器件的开态耐压提高到了200V以上。其次,对高侧NLDMOS的结构以及工作机理进行阐述说明,接着针对浮动盆对地以及高侧NDLMOS自身的ESD防护性能做了优化设计,之后探讨了其与现有工艺的兼容性,并通过仿真优化其器件性能,对后续工艺的改进具有一定的指导意义。最后,展示分析了本课题中的基本工艺流程,并基于低侧NLDMOS以及高侧NLDMOS管的仿真结果与0.18μm BCD工艺流程设计了相应的版图结构,其中低侧NLDMOS管的版图包含4种类型,高侧NLDMOS管也包含4种类型,在此基础上还设计了一些特殊的版图结构。