【摘 要】
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实验发现部分UV-110硅紫外增强型光伏探测器的开路电压在一定光强下出现峰值,随后开路电压随光强增大反而下降的异常光电特性,这种异常特性尚未见报道.在实验和深入分析该异
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实验发现部分UV-110硅紫外增强型光伏探测器的开路电压在一定光强下出现峰值,随后开路电压随光强增大反而下降的异常光电特性,这种异常特性尚未见报道.在实验和深入分析该异常现象产生机理的基础上,提出异常器件中存在一个与主结方向相反的寄生结的模型,该寄生结也有弱的光伏效应并和主结形成背靠背结构.这一模型可以很好地解释器件的异常光电特性.接着通过实验确定了寄生结的存在,实验结果表明寄生结是Al电极和n-Si衬底接触不好而形成的肖特基结,其特性和方向也与我们假设的模型一致.在此基础上,分析了寄生肖特基结产生的可能原因,认为该寄生结是合金化工艺控制不当而引入的,并提出了工艺上的改进措施以消除这种隐患.
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