20世纪以来,随着人们对纳米科技的深入研究,纳米级的元器件得到了广泛的应用。纳米成像控制系统作为研究纳米科技的重要工具,其成像深度小,限制了纳米成像控制系统的应用范围,阻碍了纳米科技深入发展的进程。为提高纳米成像控制系统的成像深度,本文首先搭建了粗位移成像平台与精位移成像平台相结合的微纳结构成像复合控制系统。然后,采用恒定电压值的方法建立了复合控制系统的数学模型。同时,为提高复合控制系统的动态性能,采用自适应模糊控制方法对PI参数进行优化。最后,验证复合控制系统以及控制方法的可行性。成像实验结果表明:搭建的微纳结构成像复合控制系统可实现微纳米结构的样品成像,且成像深度可达到1300nm,与纳米成像控制系统相比提高了成像深度,且光栅结构清晰,整体和边缘信息比较完整。基于自适应模糊PI控制方法获得的光栅形貌图像质量优于PI控制方法获得的光栅形貌图像质量。本文研究的微纳结构成像复合控制系统不仅保留了纳米成像控制系统的成像精度,同时利用粗位移成像平台提高了成像深度,实现了对深度较大样品表面形貌的全方位呈现,极大的拓展了微纳结构成像复合控制系统的应用范围。