氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较硅功率器件有更好的能源利用效率,随着世界上的能源资源日趋减少和减少温室气体排放,更加高效的电力转换装置逐渐成为热点研究方向。配备氮化镓功率器件的系统装置不仅可以提高电力转换的效率还能满足个人移动终端所需求的便携要求,并且可以小型化家庭电器从而获得更加宽阔的空间。本文在此背景下进行研究,制作氮化镓功率器件。为了制作出氮化镓器件首先进行了器件源漏两极的欧姆接触研究,分别研究了有金和无金欧姆接触。无金膜层Ti/Al/W（20/100/30 nm）膜层在800°C退火条件下实现了最低0.65??mm的接触值。研究了等离子刻蚀,对比了ICP和RF功率、刻蚀气体Cl₂的比例和不同腔体压力对刻蚀表面粗糙度的影响,并给出了接触电阻与刻蚀时间的关系,为无金欧姆接触的势垒层刻蚀做出了参考。接着介绍了两种栅极介电材料的淀积方法,由于使用后栅工艺高温LPCVD生长的SiN_X将破坏欧姆接触,因此实验采用ALD在300°C淀积Al₂O₃作为栅极介电层材料,选用Ni/TiN作为栅极金属。通过凹栅工艺实现了阈值电压为1.2 V的增强型器件,但是凹栅工艺对沟道电子气的损伤过大,导致饱和漏极电流值降为5.2 mA左右。最后研究了与合作商共同开发的器件的可靠性,包括低温栅极脉冲应力和经时击穿测量。低温栅极脉冲测试揭示了栅极应力下的阈值电压变化的异常行为,表现为先减小后增大,提出了相应的模型并得到验证。通过经时击穿测试讨论了栅介质面积和多指对SiN_X特性的影响。