功率器件的核心问题是功耗问题。高压器件决定功耗的因素是器件的耐压和比导通电阻。常规超薄SOI器件能够改善器件耐压和比导通电阻的关系,但是其存在很严重的热点问题,会影响器件的可靠性。本文就此提出了两种新型超薄SOI功率器件。1、本文提出一种积累型超薄SOI(Silicon On Insulator)LDMOS(Lateral Doublediffused Metal Oxide Semiconductor)器件结构。该结构在漂移区表面添加了一个PNP场板,该场板分别于漏端和栅端电气相连。反向阻断时,场板辅助耗尽漂移区,提高漂移区浓度;正向导通时,器件漂移区表面形成电子积累层,降低比导通电阻。电子积累层不仅降低了电阻,而且还消除了器件表面的热点问题。仿真结果表明,在保持相近耐压时,器件的比导通电阻降低为五分之一,为21.1mΩ?cm2;相同功率下,器件表面最高温度降低了71K。最后,根据实际提供了两种工艺实现方法。2、本文提出一种具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS器件。该器件漂移区均匀掺杂,不仅具有积累型延伸栅,还采用了背部刻蚀技术。积累型延伸栅能够形成电子积累层,降低器件导通电阻,优化器件的表面温度分布;背部刻蚀技术不仅能够去除衬底辅助耗尽作用,消除器件的纵向耐压限制,而且还能提高器件的散热能力。仿真结果表明,器件的耐压达到818V时,比导通电阻为38.1mΩ?cm~2,降低了70.2%。最后,为更好的实现器件的制造,本文提供了两种工艺方案。