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IVB族和VB族过渡金属硫化物和稀土金属硫化物是具有特殊的结构和化学与物理性质的化合物。这类化合物在纳米激光器、固体润滑剂、催化剂、储氢材料和场发射材料等方面都有着广泛的应用前景。因此,合成及制备高品质的有应用潜力的金属硫化物已经成为目前科学研究的热点之一。近几年,过渡金属硫化物的场发射性质吸引了科学家的注意。人们不断尝试在保证获得场发射有序阵列的基础上,降低阵列与基底的电阻。稀土金属硫化物受人瞩目的则是光学性能。本文利用CVT法合成了金属硫化物纳米带和纳米线阵列,同时尝试利用高温高压合成法成功获得了金属硫化物纳米带和稀土硫化物产物。第一章介绍了IVB族和VB族过渡金属硫化物和稀上金属硫化物的研究现状、主要合成方法和发展前景。第二章介绍了CVT法合成ZrS3、HfS3和NbS3一维纳米带材料,详细讨论了反应温度、时间、温度梯度及升温速度对产物的影响,并通过分析纳米带的Raman光谱得到了纳米带生长取向的证据。在第二章实验结果的基础上,第三章利用CVT法合成了NbS3和NbS2纳米线阵列及NbS2薄层。通过调节反应参数和改变起始原料处理工艺,对纳米线阵列的形貌和尺寸进行了有效控制,了解了纳米线阵列的生长机制。第四章介绍了高温高压法合成TiS3纳米带块材和Nd2S3的实验,反应条件分别为2GPa,600℃,60小时和2GPa,1000℃,15小时。讨论了反应压力、温度和时间对产物的影响,证明高压有利于抑制起始反应物的外逸和分解,因此,高压的使用可以使一些热学不稳定的化合物直接使用于反应物。第五章是结论和展望。