本文以具有钙钛矿结构的BaTiO₃基陶瓷作为研究对象,分别研究了Sm₂O₃掺杂对（BaxSr1-x）TiO₃、Ba(Sn_xTi_1-x)O₃和Ba（ZrxTi1-x）O₃陶瓷微观结构与介电性能的影响,以及Y₂O₃和NiO掺杂对（Ba_xSr1-x）TiO₃陶瓷微观结构与介电性能的影响。通过对试样微观结构和介电特性的研究,揭示了Sm₂O₃、Y₂O₃和NiO在BaTiO₃基陶瓷中的掺杂机理。研究结果发现:Sm₂O₃和Y₂O₃在(Ba_xSr_1-x)TiO₃陶瓷中,随着掺杂量的增加,Sm³⁺和Y³⁺有一个优先取代位置,也就是在它们掺杂的起始阶段,Sm³⁺和Y³⁺主要进入晶格A位位置,而在其掺杂量超过某个量之后,则以进入晶格B位位置为主,这种优先取代结果导致试样晶胞参数a随掺杂量的增加先减小后增大,试样介电常数先增大后减小。两者都能使试样介电损耗得到改善,尤其是当Y³⁺掺杂量为1.0 mol%时,试样介电损耗降低到0.0015。两者掺杂结果的显著不同在于Y³⁺掺杂使试样表现出了弥散相变特性,而Sm³⁺掺杂却没有。当NiO被添加到（BaxSr1-x）TiO₃陶瓷中时,只有一少部分Ni²⁺离子进入晶格的B位取代Ti4+离子,导致试样晶格参数轻微增加,之后NiO主要在晶界附近聚集,形成BST/NiO复合材料。试样介电常数随NiO掺杂量的增加而下降,介电温谱显示含Ni试样具有弥散相变特性,且随掺杂量的增加,效果越明显,这也使试样介电温谱得到了很大改善。Sm₂O₃的加入并不改变BTS10和BZT20陶瓷的主晶相结构,与空白试样相比,掺杂微量Sm³⁺会使晶粒尺寸下降。随着Sm₂O₃掺杂量的增加,BTS10和BZT20陶瓷试样介电常数先增大后减小,当试样介电常数最大时,其介电损耗也最高。BTS10和BZT20陶瓷试样Tm和Sm₂O₃掺杂量之间的变化规律大致相似,不同点在于BTS10陶瓷的Tm在Sm₂O₃掺杂起始阶段并不改变。掺杂Sm₂O₃的BTS10和BZT20陶瓷试样均具有弥散相变特性,但二者有两点明显不同,其一,BTS10空白试样本身并不具有弥散相变特性,而BZT20空白试样即具有弥散相变特性。其二,随Sm₂O₃掺杂量的增加,BTS10陶瓷试样弥散特性一致增强,而BZT20陶瓷试样弥散特性却是先变弱后增强。这种差别说明,在Sm₂O₃掺杂起始阶段,一部分Sm³⁺进入了BTS10陶瓷晶格B位位置,而在BZT20陶瓷中却没有,而两者试样Tm在Sm₂O₃掺杂起始阶段变化的差异性也说明了这一点。