掺杂SnO<,2>薄膜的制备及研究

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【摘要】

：

透明导电氧化物(TCOs)薄膜由于其宽带隙、高电导率、可见光范围内极高的透过率以及红外波段高的反射率等特性,被广泛应用于各种光电器件,如太阳能电池、热镜、表面声波器件和液晶显示器的透明导电电极等。由于本征施主型缺陷的存在,如间隙金属原子、氧空位以及反位原子等,未人为掺杂的TCO大多为n型半导体。众所周知,pn结是大部分半导体器件的核心部件,p型TCO的缺失大大制约了透明导电氧化物的应用,因此p型T

【作者】

：

裴选

【机构】

：

山东大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

金属有机化学气相沉积(MOCVD) 掺镓氧化锡薄膜（SnO2:Ga）镓氮共掺氧化锡薄膜（SnO2:Ga-N）

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