基于无机金属氧化物传输层的倒置有机电致发光器件研究

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近年来,有机电致发光器件(OLED)由于具有自发光、响应速度快、驱动电压低、可以实现柔性显示等优点而被广泛应用在显示和照明领域。然而传统OLED使用的有机材料玻璃化温度低,对空气中的水氧敏感,导致器件的稳定性较差,阻碍了OLED在实际应用中的进一步发展。本论文采用在空气中具有高稳定性的无机金属氧化物作为载流子传输材料来提高器件的稳定性。作为电子传输材料的n型无机金属氧化物需要通过旋涂工艺形成薄膜,而这种工艺会破坏真空蒸镀的有机小分子薄膜,所以我们将其直接旋涂在带有氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底上。在这种器件中,ITO作为阴极,所制备的器件是不同于常规结构的倒置器件。由于基于非晶硅(a-Si)和透明非晶氧化物半导体(TAOS)的薄膜晶体管(TFT)工作在n沟道模式,具有底部阴极的倒置结构将优于常规OLED与n沟道TFT集成。因此,基于无机金属氧化物传输层的倒置有机电致发光器件的研究具有实际意义。首先,我们采用无机金属氧化物——氧化锌(ZnO)作为电子传输材料制备倒置器件,并将其称为I-iOLED。由于ZnO的玻璃化转变温度(Tg)比较高,在器件长时间工作过程中产生的焦耳热不会使其结晶,从而不会破坏上方有机功能层,器件的稳定性会得到初步的提升。为了验证I-iOLED的稳定性,我们将其与具有完全相反结构的正置器件做对比,拍摄两种器件的电致发光图像,观察器件存储时产生的黑斑情况。同时,我们讨论了聚乙烯亚胺中间层以及空穴阻挡层对器件性能的影响。然后,我们在I-iOLED的基础上,采用无机金属氧化物——氧化钼(MoO3)作为空穴传输材料,制备II-iOLED。与I-iOLED相比,II-iOLED采用在空气中具有高稳定性的MoO3代替了稳定性较差的有机小分子材料作为空穴传输材料。MoO3可以有效地阻挡空气中的水分和氧气进入器件内部,进一步提升器件的稳定性。针对MoO3层的厚度,我们进行了详细的讨论,通过多组实验结果确定了其最佳厚度。此外,我们实验验证了与有机小分子材料相比,无机材料MoO3作为空穴传输材料具有的优势。最后,我们采用直流电源和交流电源分别驱动倒置器件,发现其在两种情况下工作状态不同。在直流电压下工作时,倒置器件的亮度在30分钟之内快速衰减;而在交流电压下工作时,器件可以连续工作24小时以上还保持很高的亮度。为了解释该现象,我们测试了器件的电容-电压曲线以及瞬态电致发光特性,发现该现象主要与ZnO层中的陷阱电荷有关。基于上述研究,我们总结了倒置器件的工作机理。
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