集成电路设计进入超深亚微米阶段,工程师们大多采用片上系统(System on Chip, SoC)技术和知识产权(Intellectual Property, IP)核复用技术来设计集成电路。存储器是SoC系统的重要组成部分,占据着相当大的面积。其中静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)由于其读写速度快、静态功耗低的特点被广泛应用于SoC系统中。存储器不同于一般的数字电路,它是由高密度的存储阵列构成,因此它的故障发生率更高,故障类型更复杂。存储器内建自测试(Memory Build In Self Test, MBIST)技术由于其方便、高效、高覆盖率的特点,已成为存储器测试的主要方法。文章首先介绍了可测试性设计和存储器的测试方法,并详细阐述了MBIST的系统结构和测试方案。接着分析了65nm工艺SRAM的常见故障和故障模型并介绍了常见的算法。然后文章重点对March算法进行研究,分析了65nm工艺的SRAM的常见故障和经典算法无法覆盖的耦合故障,针对这些故障类型对应的March测试序列并提出一种新的March算法。新的March算法在可接受的算法复杂度下对65nm工艺的SRAM的常见故障和经典算法无法覆盖的耦合故障具有较高的覆盖率。然后,文章根据新的March算法生成对应的MBIST电路,并将该MBIST电路应用于65nm工艺的SRAM进行仿真,验证了算法的正确性。然后,文章针对传统MBIST电路测试的局限性和电路面积不断增加的弊端,提出了一种新的MBIST电路结构。该MBIST电路结构能够根基算法义件支持多种March算法,减小了MBIST电路的硬件消耗。最后使用该MBIST电路生成March C-算法的测试激励来对SRAM进行测试,验证该MBIST电路的功能。