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聚偏氟乙烯(PVDF)作为一种重要的铁电聚合物，具有良好的压电、热释电、铁电等性能，因而被广泛应用于压力传感器、光电传感器、铁电存储器等。对于PVDF而言，高β相含量有利于其压电、热释电及铁电等性能的提高，因此，如何简单有效地制备高β相含量PVDF膜成为科学工作者研究的热点。本文采用流延工艺制备了PVDF厚膜，并引入适量的CoFe2O4纳米粉体，研究了CoFe2O4掺杂量、表面活性剂类型以及成型工艺对PVDF厚膜β相含量、介电、铁电以及磁性能的影响。其主要研究内容如下：首先，采用流延工艺在80°C条件下制备了PVDF厚膜，研究了CoFe2O4纳米粉体掺杂对其性能的影响。实验结果表明，CoFe2O4在厚膜中分散较为均匀，适量掺杂CoFe2O4可以提高PVDF厚膜中β相含量。当CoFe2O4掺杂量为0.2wt%时，PVDF厚膜中β相含量为73.5%，极化强度最大值为4.26μC/cm2，室温下介电常数和损耗分别为9.8和7.4%。同时，厚膜的饱和比磁化强度随CoFe2O4掺杂量的增加呈近似线性增大趋势。为了进一步提高CoFe2O4在PVDF厚膜中的分散性，我们分别采用不同种类的表面活性剂(CTAB、PVP、SDS)对纳米CoFe2O4表面进行改性，研究了不同表面活性剂改性的CoFe2O4对PVDF厚膜的性能影响。实验结果表明，不同表面活性剂修饰的CoFe2O4对PVDF厚膜中β相含量影响较为明显，经过CTAB、PVP、SDS修饰的PVDF厚膜β相含量分别为5.7%、10.7%和56.5%。修饰后纳米CoFe2O4粉体间的相互作用力减弱，因此，经修饰后的CoFe2O4掺杂减小了PVDF厚膜的矫顽场和饱和比磁化强度。另外，SDS修饰的CoFe2O4掺杂提高了PVDF厚膜的极化强度，达到6.5μC/cm2。最后，我们通过改变流延成型工艺，研究了成型过程中外加磁场对CoFe2O4掺杂的PVDF厚膜结构和性能的影响。实验结果表明，20mT磁场作用下，PVDF厚膜的晶粒尺寸有所增大，结晶性得到改善。同时，厚膜的磁性能变化较为显著，磁化强度提高到0.14emu/g，矫顽场增大到840Oe。然而，PVDF厚膜的内部气孔增多，致密性变差，导致厚膜的介电和铁电性能有所下降。