【摘 要】
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随着集成电路制造工艺水平的提升,系统集成度越来越高,智能功率集成电路得到了日益广泛的应用,功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片
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随着集成电路制造工艺水平的提升,系统集成度越来越高,智能功率集成电路得到了日益广泛的应用,功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上,具有开关特性好、功耗小等优点。本课题设计的高压MOSFET(Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor)是与标准CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工艺兼容的。论文中讨论了常见的高压器件结构与隔离方法,以及关键的高压器件参数,分析了影响MOS器件击穿电压的因素,并针对基于标准CMOS工艺的几种结构进行了分析和研究。分析了常见高压器件与标准CMOS工艺的兼容性以及相应的工艺改造方案,设计了与标准CMOS工艺兼容的高压MOS器件结构,在中电58所成熟的1.5μm 5V CMOS工艺的基础上,提出高压MOS器件的结构及版图设计方法。对双扩散(DDD = Double Diffused Drain)高压MOSFET、SVX(Smart Voltage eXtension)高压MOSFET结构进行流片实验,根据实际器件参数测试结果,优化调整版图结构和工艺参数使之作为新增工艺模块,整合到原有工艺中,并尽量保持低压器件的原有特性。最终根据以上工作得到1.5μm 5V/12V兼容CMOS工艺的设计规则,并将其应用到LCD(Liquid-Crystal Display)显示驱动系列电路的实际生产中,取得了可观的经济效益。
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