多孔硅材料自上世纪末期开始受到研究者的关注。近年来,随着工业技术的发展使得多孔硅比表面积大、热导率低以及热整流等特性广泛应用于SOI技术、微电子和微传感器等技术。还有研究发现硅基材料可作为热电材料,用于能源和环保领域。因此,关于多孔硅的制备条件与其微观形貌、热导率和热整流之间关系的研究十分重要。本论文主要针对多孔硅材料的孔直径、厚度、孔隙率的微观结构和热学性能进行了研究。为了研究腐蚀电流密度对多孔硅微观形貌的影响,本论文通过单槽电化学腐蚀法制备自支撑多孔硅样品,并通过扫描电子显微镜SEM对其微观结构进行了探究。观测结果表明:1、腐蚀反应仅限于有电流的区域;2、孔直径、厚度和孔隙率与电流密度的变化趋势相同,孔径为4-13nm,该方法可制备纳米级多孔硅;3、当电流为200mA/cm2时发生电抛光。为了研究腐蚀电流密度和测量温度对多孔硅样品的热学性能的影响,本论文采用激光散射法对多孔硅样品的热扩散系数进行了测量,结果显示随着温度升高,腐蚀电流增大,多孔硅样品的热扩散系数将降低。为了研究多孔硅样品在常温和高温下的热整流性能,本论文通过改变激光加热的对象实现对多孔硅样品在正反两个方向上热扩散系数的测量和研究,结果表明该方法制备的多孔硅具有热整流效应,随着温度降低,孔隙率升高,热整流系数增大。当腐蚀电流密度为100mA/cm2,测量温度为50℃时热整流系数最优可达到1.86。