将功率为30W、波长为1064nm、脉宽8ns、重复频率800HZ的YAG激光束照射在电阻率为10—20Ωcm的P型掺杂单晶硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构,该结构有很强的光致荧光(PL),发光峰中心约在706nm处。该结构的光致荧光峰强度比电化学加工纳米硅的光致荧光峰大约大两个数量级以上。通过改变激光辐照的时间和功率使到达硅表面的激光能量改变,发现网孔状结构的尺寸发生变化,同时光致荧光的强度也发生改变,但光致荧光峰的位置不变。这种光致荧光峰的钉扎效应单独用量子受限效应不能很好地解释。我们发现:当激光辐照时间约为9s时,孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定、且有较强的PL发光。我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中进行激光加工与检测的结果。发现在酒精和氢氟酸中激光加工的硅样品几乎不发光;而在水中的激光加工的样品有微弱的PL发光,水在激光的辐照下会发生分解、释放出少量的氧原子。这证实了氧在光致荧光增强效应方面起着重要的作用。我们用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理;并用量子受限及其硅纳晶与氧化硅界面态的综合模型来解释纳米网孔结构的PL发光的钉扎与增强效应。