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该论文通过大量的实验工作,采用提拉法过La<,3>Ga<,5>SiO<,14>(LGS)晶体及其同构物A<,3>BGa<,3>Si<,2>O<,14>(A=Ga,Sr;B=Nb,Ta)系列晶体和La<,3-x>Re<,x>Ga<,5>SiO<,14>(Re=Eu<3+>,Dy<3+>,Ho<3+>,Er<3+>)晶体进行了生长.研究了晶体结构,及其光学、热学、电学等性能.主要内容包括:研究了La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体斜肩和平肩的生长;表明按摩尔比La<,2>O<,3>:Ga<,2>O<,3>:SiO<,2>=30.10:50.60:19.30配料(即镓稍过量),沿c轴方向籽晶生长,晶体容易生长且质量较好;采用改进的平肩生长工艺,生长出高质量的晶体.用X-Ray粉末衍射对生长的LGS晶体结构进行了鉴定,结果证明,生长的晶体为Ca<,3>Ga<,2>Ge<,4>O<,14>型单一相结构.利用DICVOL91程序,计算的晶胞的参数为:a=0.815302±0.000162nm,c=0.508361±0.000175nm,V=0.29264nm<3>.利用显微拉曼光谱仪测量了LGS晶体不同散射几何配置下的拉曼光谱.依据空间群理论和晶格动力学理论,预测了La<,3>Ga<,5>SiO<,14>(LGS)晶体的简正振动模式和拉曼散射效率,分析了该晶体的结构并讨论了构效关系,并采用拉曼光谱和分子轨道理论分析了LGS晶体具有较大的压电性的原因,为掺杂改性和进一步提高其性能提出了一些建议.测定了SNGS和CNGS晶体的全部介电和压电常数以及部分弹性常数,发现CNGS晶体的压电常数高于LGS晶体,晶体的相对介电常数随温度的变化很小,在高频率的情况下,相对介电常数随温度的变化更小.该晶体有望成为一种高频率下应用的性能优异的新型的压电材料.LGS晶体具有很好的物理性能,例如良好的热稳定性,高的透过率等.因此又是一种很好的激光基质.在该晶体中掺入Er<3+>、Eu<3+>、Ho<3+>、Dy<3+>等稀土离子,生长出了高质量的激光晶体,并对其进行了初步的研究,测试了其X-ray粉末衍射(XRPD)、吸收光谱和荧光光谱.分析了能级跃迁的机制.