面对当前信息量爆炸式增长的现状,基于单晶硅的传统存储设备已经不足以满足信息存储的需求。同时,基于小型化和可穿戴电子设备的追求也引起了全球研究人员和相关从业人员的关注。研究人员不断努力寻求更为新颖的方法,以设计具有更高密度存储特征的柔性设备(如微穿戴设备等)来满足人们更高的需求。基于三元有机电子材料的微穿戴设备因具有多组分存储和可用于柔性基底的特征,因而为上述问题提供了最佳的解决方案。在本论文中,我们试图设计并合成一种新型的具有给受体交替结构的聚硅氧烷材料,命名为 PBSePA-alt-PTPAMSi,其中 5-(7-溴苯并[c][1,2,5]硒二唑-4-基)-N,N-二乙基嘧啶-2-胺(BSePA)和N-(4-(二乙氧基)(甲基甲硅烷基)苯基)-N-苯基苯甲胺硅氧烷(PTPAMSi)分别用作电子受体和给体部分。基于PBSePA-alt-PTPAMSi的柔性电存储器件将采用三明治结构制造,并且所获得的存储器件有望显示出典型的非易失性的一次写入多次读取(WORM)的三元存储器特性。由文献可知,基于BSePA类似物的5-(7-溴苯并[c][1,2,5]噻二唑-4-基)-N,N-二乙基-嘧啶-2-胺和PBTPASi的硅氧烷共聚物可以实现典型的非易失性WORM器件,因此我们得到的聚合物和器件也有希望可以用作典型的非易失性WORM存储器件。此外,我们还设计合成了 4,7-二溴苯并[c][1,2,5]噁二唑(BOPA)。之后,将通过Heck反应获得相应的硅氧烷化合物。最后,设计合成一个电子给体和两个电子受体的聚硅氧烷(PBOPASi);而其记忆器件也将希望为我们提供三元WORM型记忆行为。