MgZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下禁带宽度可从3.3 eV调节至7.8 eV。近年来MgZnO被作为紫外探测器的重要候选材料，引起了广泛的研究热潮。本文主要在已制备的MgZnO合金薄膜的基础上，采用传统紫外光刻及湿法腐蚀的方法制备MSM结构的MgZnO紫外探测器，并对其性能进行了研究，主要研究成果如下：　　 1.利用射频磁控溅射设备，在石英衬底上制备了具有良好(002)择优取向的ZnO薄膜。在此基础上得到肖特基型器件光响应上升时间为20 ns，下降时间为250 ns，这是目前报道最快的ZnO紫外探测器。并对不同电压下的不同指宽的ZnO肖特基型器件性能进行了研究。　　 2.利用射频磁控溅射的方法，在石英衬底上制备了一系列不同组分的MgZnO合金薄膜，研究了其结构和光学特性。在此基础上，在单一六角结构Mg0.40Zn0.60O薄膜上制备了肖特基型的紫外探测器，并针对其响应度较低，采取了对器件进行真空热处理的方法，器件的响应度得到了极大的提高。此外，首次实现了磁控溅射方法制备的肖特基型的Mg0.70Zn0.30O太阳盲紫外探测器，并对其性能进行了表征。　　 3.采用等离子体辅助的分子束外延技术在C-Al2O3衬底上制备了高质量的Mg0.1Zn0.9O合金薄膜，并制备了MSM结构的光导型的Mg0.1Zn0.9O紫外光电探测器。开展了MgZnO紫外光电探测器的变温响应度研究，对在不同电压下器件的响应度发生红移现象进行了机理分析。