当前集成电路产业向深亚微米工艺不断推进,正力图突破45nm大关。现有EDA工具难以应付复杂度呈指数增长的诸多VLSI电路设计难题,也缺乏对深亚微米工艺下一系列新问题的考虑。另一方面,在计算智能领域,各种优化技术日新月异,为解决非NP和NP复杂度的大规模、超大规模问题展示了广阔的前景。在我国21世纪初的“十五计划”里,明确地把软件产业和集成电路产业作为中国高科技的两大重点发展方向。本文正是在这样的背景下,研究非曼哈顿结构和性能驱动在深亚微米工艺下VLSI生产工序中关键环节——物理设计中的应用。随着VLSI电路的工艺向深亚微米的推进,由于问题规模的急剧增大,电路物理设计中的布线问题(无论是非NP问题、NP完全问题和NP困难问题),都迫切需要更有效的优化算法解决方案。本文的贡献在于:1.针对VLSI电路物理设计中的通道布线问题,将冒泡排序这一通用算法用于求解有网格的非曼哈顿通道布线问题,首先提出了基于冒泡排序的四层非曼哈顿通道布线改进算法,使通道的高度最小(即tracks最小),减少了通道中的总线长。 <WP=5>2.在传统的曼哈顿通道中的串扰模型基础上,提出了有网格的非曼哈顿通道中的串扰模型。3.将改进算法得到的非曼哈顿通道布线作为初始解,保证通道的高度即轨道不变,提出了一种基于几何原理的减小串扰的优化算法,使通道中的串扰达到最小。通过将该算法在基准例上的实验,证实了该算法可用于开发性能驱动优化布线软件。