在能源危机加重和环境污染严重的今天,寻求可持续发展的新战略是社会发展的重中之重。其中,太阳能凭借其清洁无污染、储量丰富的优点得到了巨大的关注。作为光伏行业发展的主流,硅基太阳电池的发展一直是人们关注的重点,其电池效率可以达到20%以上。目前晶体硅太阳电池发展的比较成熟,想要降低其电池成本及提高效率是极其困难的,因此我们通过制备多孔硅层取代原有的倒金字塔结构和减反射膜进一步降低其减反射率,并用快速热处理法取代原有的扩散工艺,简化了制备工艺,有望降低晶体硅太阳电池的生产成本。本文设计了一种多孔硅/单晶硅太阳电池结构,以单晶硅为基底,采用电化学法在单晶硅基底上制备多孔硅,进而使用快速热处理(RTP)法进行磷扩散,主要针对多孔硅性质、扩散方阻、减反射率、J-V特性进行了表征分析,获得了以下结果:(1)多孔硅层的腐蚀速率是1.77 μm/min,微孔方向沿(100)和(113)晶向,孔径范围是10-30 nm。(2)磷扩散后的电池薄层方块电阻都在100Ω/sq以下。在相同的扩散条件下,方块电阻随多孔硅厚度的增大而减小,证明多孔硅层促进了磷扩散。多孔硅层越厚,扩散温度越高,扩散时间越长,扩散效果越好。(3)多孔硅层的反射率在400-1100 nm的光谱范围降低到了 12%。多孔硅层越厚,减反射效果越好,但电荷复合随着多孔硅层的增加也随之增加,电池效率降低。(4)通过优化工艺条件,多孔硅制备阶段电流密度为30 mA/cm2,蚀刻时间为4 min,最终在850℃,40 s快速热退火磷扩散条件下,成功制备出了效率为12.32%,短路电流密度为27.99 mA/cm2,开路电压为0.49 V以及填充因子达到71%的太阳电池。