磷扩散相关论文
为进一步提升n型叉指背接触（IBC）太阳电池的光电转换效率，采用激光掺杂方式形成选择性背表面场结构，研究了磷扩散和激光掺杂工艺对IBC......
在硅表面沉积制备致密的氧化硅薄膜可获得极佳的表面钝化质量，然而氧化硅薄膜的常规制备方法常需要较长的工艺时间和较高的工艺成本......
一直以来,有人认为磷扩散对晶体硅太阳电池只有发射结钝化,有人认为只有吸杂,还有的人认为两者皆而有之,但都没有形成统一认识.本......
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜......
主要内容简介磷扩散吸杂效应磷吸杂在N-型IBC电池中的应用结论N-型背结背接触太阳能电池无表面金属遮光损失,高效N-型衬底无光致衰......
会议
本文研究了太阳能电池生产工艺中,在磷扩散制备PN结时,磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响。多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质,......
本文研究了太阳电池发射极制造过程中，快速热处理（RTP）对磷在硅中扩散的影响。扩展电阻和方块电阻测试结果显示，950℃和1100℃下，短时间......
对不同氧含量的太阳电池用直拉硅片进行了磷扩散吸杂、铝吸杂及磷－铝联合吸杂的研究。采用准稳态光电导衰减法（QSSPCD）测试了吸杂前后......
本文简述了采用高温浓磷扩散,钝化,氢化和背场制作技术研制了多晶硅太阳电池在AM1.5,25℃,100mw/cm2条件下,获得了面积为2×4cm2多......
太阳能是一种非常重要的可再生清洁能源,使用太阳电池发电是利用太阳能的重要途径之一,而制备低成本、高效率太阳能电池则是大规模......
该文主要介绍了DNA检测用的光电管(包括光电二极管和光电三极管)的设计思想、制作工艺流程及测试结果与分析等.重点讨论了光电管理......
近年来，我国河流、湖泊以至水库，都受到不同程度的污染，并且日趋严重，成为当前我国水资源可持续利用的最大威胁。由于在季节性洪水淹没......
通过提高发射区的方块电阻和优化发射区的磷杂质浓度纵向分布,制备了性能优良的单晶硅太阳电池.I-V测量分析表明:高表面活性磷杂质......
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜......
期刊
为了保证双向可控硅的导通性能,需要其四个导通状态的触发电流IGT1,IGT2,IGT3和IGT4的大小尽可能地接近,尽可能地灵敏。采用目前国......
介绍了在ＳｉｌｖａｃｏＴＣＡＤ软件中最新加入的磷扩散模型－ＰＥＲＣＯ模型，该模型建立了杂质，空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩散引起的超平衡缺陷对磷......
文章提出通过2次恒定源扩散和恒量扩散制作n^＋P型硅太阳电池的新工艺。与常规的一次制结工艺相比，新的扩散方法可以减缓高浓度浅结磷......
利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂......
本文讨论了Si单晶中磷扩散造成的扩散层晶格的残余应变,此应变与磷浓度的关系,以及它的测量方法和测量结果。还讨论了在此应变梯度......
采用＾３２Ｐ标记法对陕西４种质地土壤在不同施磷量下表现扩散系数（Ｄａ）孔隙扩散系数（Ｄｐ）和土－根界面磷分布及运移进行了研究，结果表明：土壤Ｄａ值随施磷量增......
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n＋型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜......
针对电力半导体器件的特性和工艺特点,提出了一种适用于电力器件的磷扩散模型并应用MATHMATICA 4对该模型进行计算,计算的结果与SU......
模拟研究上海市污水排放长江口竹园排污区时，污水－海水混合过程中磷含量和形态的变化，及基在颗粒物－海水界面的转移动力学，提供动力学模......
针对不同生产工艺复合肥料,在养分含量(15-15-15)相同的条件下,通过对部分理化性质及光学结构特性的研究,探讨了不同工艺复合肥料......
针对光伏工业界对磷扩散薄层电阻不断提升的需求,采用了在磷扩散工艺气氛中增加水汽的方法进行磷源扩散制备高薄层电阻,并通过实验......
在能源危机加重和环境污染严重的今天,寻求可持续发展的新战略是社会发展的重中之重。其中,太阳能凭借其清洁无污染、储量丰富的优......
对于在硅平面技术中通常采用的掺杂浓度,磷在硅中的扩散是既在不活泼气氛(氮气)又在氧化气氛(90％氮气加10％氧、干氧、水蒸汽)中,在很......
众多新能源中,太阳能发电最有可能同时解决人类面临的能源和环境问题。目前,晶体硅太阳电池仍然是光伏市场的主流,占据差不多80%的......
研究通过提高发射区的方块电阻和采用合适的工艺技术,制备了性能优良的单晶硅太阳电池。采用丝网印刷技术制备了40Ω/□常规发射区......
