【摘 要】
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该文应用散射矩阵的方法,计算了一种多层低维半导体系统----三元准周超晶格的高能电子透射率.结果表明:受到准周期超晶格结构调制时,势垒以上能量区域出现分立的共振能级.随
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该文应用散射矩阵的方法,计算了一种多层低维半导体系统----三元准周超晶格的高能电子透射率.结果表明:受到准周期超晶格结构调制时,势垒以上能量区域出现分立的共振能级.随着系统层数的增加,高能态电子透射的区域越来越集中于某一小的能量范围.电子波函数几率分布具有与三元准周期超晶格遵循的迭加关系相一致的自相似性质.电子能量大于势垒高度的情况下,系统中也存在三种典型的电子态----即扩展态,局域态,临界态.扩展态对应着电子透射率较大的能量状态,局域态对应着电子透射率较小的能量状态,临界态对应的能量状态介于述两者之间.作者还运用Airy函数讨论了外加偏压对高能电子隧穿性质的影响.此项研究丰富了对多层低维半导体材料物理性质的认识,为新型半导体器件的开发和研制打下良好的理论基础.
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