压电陶瓷作为一种关键性功能材料,因其具有机械能与电能相互转换的特性,从而广泛应用于电子、医疗、生物等重要领域。铌酸钾钠（KNN）基压电陶瓷因其优异的压电性能与较高的居里温度,在无铅压电陶瓷领域的研究中引起了极大的关注。近年来许多研究都发现可以在KNN基陶瓷中构建类似含铅压电陶瓷中的准同型相界（MPB）一样的相界从而显著提高陶瓷的压电性能,所以相界构建目前已成为KNN基压电陶瓷研究的热点。因此,为构建相界,我们通过在KNN基陶瓷中加入Sb和Bi_0.5K_0.5HfO₃,设计并采用固相法制备了组分为（1-x）K_0.40Na_0.60Nb_0.96Sb_0.04O₃-xBi_0.5K_0.5HfO₃（KNNS-BKH）的陶瓷,探讨了随Bi_0.5K_0.5HfO₃掺入量的增加KNN基陶瓷晶体结构、显微形貌和电学性能的变化规律。我们还通过介温性能的测试研究Bi_0.5K_0.5HfO₃对KNN基陶瓷正交相-四方相转变温度(T_O-T)和三方相-正交相转变温度(T_R-O)的影响。通过扫描电子显微镜的观察发现,随着Bi_0.5K_0.5HfO₃掺入量的增加陶瓷的晶粒尺寸先增大后减小。根据XRD衍射图以及介温图谱,我们发现随着Bi_0.5K_0.5HfO₃含量的增加,陶瓷经历了由正交相到多相共存再到三方相的结构演化。并且随着Bi_0.5K_0.5HfO₃掺入量的增加,陶瓷的弛豫相变特征更加明显。此外,在x=0.035处发现了一个三方相-四方相相界,这是由三方相-正交相转变温度和正交相-四方相转变温度同时变化并混合引起的。此陶瓷在三方相-四方相相界附近表现出最强的压电性能,其中压电常数d₃₃为230 pC/N,平面机电耦合系数k_p为0.34。我们制备了改变Sb掺入量的K_0.40Na_0.60Nb_（1-y）Sb_yO₃-0.03Bi_0.5K_0.5HfO₃（KNNS_y-BKH）系列陶瓷,来研究Sb对KNNS-BKH体系陶瓷晶体结构、显微形貌以及压电性能的影响。通过XRD衍射图以及介温图谱,发现随着Sb的增加,陶瓷的三方相-正交相转变温度和正交相-四方相转变温度同时出现了变化,并在0.03≤y≤0.04处观察到三方相-正交相相界。同时,晶粒尺寸随着Sb的掺入整体出现减小的趋势。陶瓷的压电常数d₃₃、机电耦合系数k_p和介电常数ε_r都随Sb的掺入出现规律的变化,其中当y=0.04时,陶瓷压电性能达到最优,其中压电常数d₃₃为202 pC/N,平面机电耦合系数k_p为0.32。我们还将SrZrO₃掺入KNNS-BKH体系陶瓷,设计并制备了（0.97-x）K_0.40Na_0.60Nb_0.95Sb_0.05O₃-0.03Bi_0.5K_0.5HfO₃-xSrZrO₃[（0.97-x）KNNS-0.03BKH-xSZ]三元系陶瓷,并对该三元系陶瓷的微观形貌、相结构、电学性能与铁电性能等进行了研究。通过XRD衍射图谱以及介温图谱,发现随SrZrO₃掺入量的增加,（0.97-x）KNNS-0.03BKH-xSZ陶瓷的正交相-四方相转变温度逐渐下降,而三方相-正交相转变温度变化不明显。室温下此三元系陶瓷相结构由三方-正交相共存（0≤x≤0.005）过渡形成三方-四方相共存（0.01≤x≤0.015）,最终转变为单一的三方相（0.02≤x≤0.03）。同时还发现,在室温下具有三方-四方相结构的陶瓷表现出较强的组分依赖性以及明显的压电性能增强。其中,在x=0.01处陶瓷显示出最优压电性能,其压电常数d₃₃为280 pC/N,平面机电耦合系数k_p为0.36。