在集成电路制造工艺中,附着在硅片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在现有的栅极多晶硅蚀刻后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀方法尤其容易产生杂质颗粒,残留的杂质颗粒很容易导致后续工艺失效,甚至引起之后的接触开路,使晶体管功能彻底失效。本文详细分析氮氧化硅掩膜层湿法去除工艺中杂质颗粒的形成机理,提出了杂质颗粒产生的根本原因是由于热磷酸湿法刻蚀方法后残留的高黏稠性磷酸所造成的。并且本文针对磷酸的特性所引起的杂质颗粒问题,特别阐述了各种不同的清洗技术,同时分别以物理和化学两方面来提出三种不同的清洗方式,然后通过具体实验数据比较得出解决热磷酸湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案。该最佳方案是在传统热磷酸湿法去除工艺中插入SC1清洗步骤,其包括氢氟酸清洗步骤、浓磷酸清洗步骤、干燥步骤和SC1清洗步骤,其中,所述SC1清洗步骤在浓磷酸清洗步骤和干燥步骤之间执行。采用该改进方法去除氮氧化硅掩膜层,可在杂质颗粒表面形成磷酸浓缩缺陷之前将杂质颗粒除去,另外硅片在浸泡SC1溶液后表面呈负电性,由于静电排斥作用,更可以防止硅片重新吸附杂质颗粒。最后的实验结果表明采用该改进方法能够使平均每片硅片的杂质颗粒数量减少了30%,相应地,杂质颗粒失效率也降低了30%,从而大大提高了晶圆的良率,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践依据。