随着以微电子为基础的信息技术即将达到物理极限,低维超导材料由于能够产生各种新奇物性和具有巨大潜力的应用前景,而成为凝聚态物理领域的研究热点之一。二维薄膜或单晶薄片以及一维纳米结构等各种低维超导材料都受到了广泛的关注,其中低维过渡金属碳化物是最近新合成出的一类低维超导材料。超导Mo2C单晶薄片作为一种典型的代表,已经表现出了优异的超导特性,以及高稳定性和催化活性等优异性能,是用于储能、催化和微电子器件方面的理想候选材料。因此,本论文将以低维Mo2C单晶纳米材料为研究对象,重点对准一维Mo2C单晶纳米带的生长、形貌、微结构和超导电性进行详细的研究。首先,我们使用CVD法在Mo/Cu基底上合成了不同形貌的Mo2C单晶纳米结构,并通过优化甲烷流量和生长时间等实验参数,成功获得了不同厚度的准一维Mo2C单晶纳米带;然后,借助电子显微镜和拉曼光谱仪等各种表征手段对准一维Mo2C单晶纳米带的形貌、微结构和晶体质量进行了详细的表征;最后,系统测量了准一维Mo2C单晶纳米带的低温电输运性质,详细讨论了外加磁场对其超导电性的影响,发现厚度约为220nm的准一维Mo2C单晶纳米带在零场下的超导转变温度约为3.15K,零温时的上临界磁场仅为0.29T,远小于其泡利极限磁场(～6T),这说明该材料体系的上临界磁场受到了增强的轨道效应的限制。此外,我们还对比探究了样品厚度对准一维Mo2C单晶纳米带超导电性的影响,发现随着样品厚度的减小,其超导电性被逐渐抑制,上临界磁场逐渐增加,这可能是由于样品厚度的减小使体系中无序度的增加和轨道效应减弱的原因。