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本文系统地分析了直流磁控溅射工艺参数对薄膜质量的影响,优化了溅射工艺参数,制备了Cu原子百分比分别为0、5、9的TiNiCu薄膜;优化了薄膜的退火工艺,系统地研究了薄膜的相变点及相变滞后。通过制备薄膜及对薄膜的组织性能的研究,目的是获得快速响应的形状记忆合金薄膜,该种薄膜就是做驱动或传感元器件的理想材料。本论文运用扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)对薄膜的表面形貌、表面质量、组织结构及成分进行分析;用DSC对薄膜的晶化温区、相变温度及相变滞后测定分析;采用连续