【摘 要】
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该文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的退化规律,并得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律.重点研究了退化PMOS器件的高场退火效应和氧化
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该文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的退化规律,并得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律.重点研究了退化PMOS器件的高场退火效应和氧化层陷阱电子的退陷阱机制.研究结果表明,负栅压退火的效果要比正栅压退火的效果好得多,这不仅表现在经过负栅压退火以后器件退化会有更大的恢复,而且经过负栅压退火以后器件的抗热载流子性能也会得到很大的提高.深入研究了热载流子退化过程中栅电流和衬底电流的退化规律,并建立了一个准确的栅电流退化解析模型.在此基础上,重点研究了用栅注入电荷总量作为PMOS器件参数退化监控量来预测器件寿命的新方法,给出了一个新的能够准确表征器件参数退化的热载流子退化监控量,并建立了新的器件参数退化的统一模型,并用于器件参数退化和器件寿命的评估.
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