由于InGaAs与衬底GaAs之间的失配度比较大，难以获得高质量的外延材料。为了降低由于应变累积而产生的不良效果，本文通过理论推导和模拟仿真，设计InGaAs/GaAsP应变补偿结构，确定了势阱层中In与势垒层中的P的组分，在此基础上研究了阱宽，势垒宽度以及量子阱的数目对器件性能的影响。为获取较小垂直发散角，对波导层的厚度进行了优化。优化后的980nm应变补偿多量子阱激光器的性能为：室温条件下阈值电流为233.5mA，斜率效率为0.667W/A（未镀膜器件），当注入电流为5A时，器件的输出功率为3.2W，垂直发散角为19°。　　通过利用低压金属有机化学气相沉积技术，研究了生长条件对 InGaAs材料外延生长的影响。对实验样品进行室温光致发光测试并对测试结果进行分析，讨论了衬底偏向角、量子阱阱层生长温度以及势阱层Ⅴ/Ⅲ比对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响。通过引入GaAsP势垒层，我们在高In组分的条件下，获得了半峰宽为16.5meV的高质量外延片，与传统的InGaAs/GaAs作对比，能够改善外延片的发光质量。