应变补偿相关论文
为了实现GaAs基量子阱半导体激光器更宽的光谱范围,InGaAs/GaAs应变量子阱被广泛应用在量子阱激光器中。同时,应变多量子阱可以实......
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
对高锰TWIP钢进行不同温度(850～1100℃)和应变速率(0.01,0.1,1,5,10 s-1)的绝热压缩试验,研究试验钢高温热变形行为.分析了变形温度......
通过Gleeble-1500D热模拟实验机,对铸态30Cr2Ni4MoV钢进行了高温压缩实验,探索了铸态30Cr2Ni4MoV钢在变形温度为900～1200℃、应变速......
利用Gleeble-1500D热模拟试验机研究了双尺度SiCp/A356复合材料在温度460～520 ℃、应变速率0.01～5s-1条件下的热变形行为.根据试验数......
利用Gleeble-3500热模拟试验机对BT25钛合金在变形温度为950～1100℃,应变速率为0.001～1 s-1和最大压下率为60％条件下进行热压缩实验,......
利用Gleeble-3500热模拟试验机对Al-Zn-Mg合金进行单道次热压缩试验,获得其在变形温度350～500℃、应变速率0.01～10 s-1下的应力-应变......
期刊
本论文“MBE生长短周期InGaAs/GaAs超晶格VECSELs有源区的结构和退火研究”的内容包括：MBE系统原理与外延材料的表征方法、应变补偿......
薄壁齿环零件是传动结构中必不可少的重要零件。由于其复杂的几何结构，在塑性成形时易出现齿形填充不满、端面裂纹、折叠、材料利用......
本论文“光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器(OPS-VECSSEL)芯片研制与性能研究”从多个方面对OPS-VECSEL外延增益片的生长与性质......
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP......
采用Gleeble-3500型热模拟试验机对Ti-2.7Cu合金进行等温恒应变速率压缩实验,研究其在变形温度740～890℃,应变速率0.001～10s-1范围内......
碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.文章对Si 1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最......
碳的加入为 Si- Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性 .处于替代位置的碳可以缓解 Si Ge合金的应变 ,同时调节其能带 .报......
期刊
应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应......
从理论角度定量地研究了量子点垂直腔表面发射激光器(QD-VCSELs)中GaNAs应变补偿层对InAs/GaAs量子点阵列生长质量的改善作用,得出......
为研究Ti-6Al-4V合金在热成形过程中的力学性能,在923～1023 K温度和0.0005～0.05 s-1应变速率范围内,进行片状试样的恒温高温拉伸试验......
为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子阱激光器,对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子阱激光器进行了设计......
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外......
为了减小大型应变测试系统中长导线电阻带来的系统误差,提高多种试验切换效率,使系统在测试过程中具有更精确、更高效的特性,提出......
SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能......
通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变，实验生长了相应的样品，并通过......
利用Gleeble-3500D型热模拟实验机进行等温压缩实验,系统研究一种新型热挤压态Ni-Co-Cr基粉末高温合金在变形温度为1020~1110℃、......
对膜结构裁剪分析的两种方法进行了介绍,并按照其中一种方法的思路对裁剪分析过程中涉及到的裁剪线的确定、空间膜片的展开以及应......
随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视.C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决......
有源区设计是半导体激光器设计的核心部分，其材料、参数的选择将直接决定激光器的最终属性，而有源区设计的关键之处在于其能带结构分......
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决定金属宏观力学性能的主要因素是微观组织,在金属的热锻成形过程中,微观组织会发生动态回复、动态再结晶、静态回复、静态再结晶......
利用模型固体理论、k．p理论和Pikus-Bir理论，研究了InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱，得出了较为简单通用的设计方法；进而研究了阱宽、InGaAs......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用Gleeble-1500热模拟实验机,在变形温度450-570℃、应变速率0.001-1s-1、最大变形量60%的变形条件下,对铝钨合金粉末冷、热压制......
Ⅲ族氮化物材料具有耐高温、抗辐射、击穿电场强、电子迁移率高等物理特性,并且禁带宽度覆盖了近红外到紫外的光谱范围,已经被成功......
近年来,在单芯片上集成纳米功能单元的能力成为衡量半导体纳米技术发展的一个重要标志。半导体纳米结构(量子点、量子环、纳米线等......
在温度为11231423 K,应变速率为0.0110 s-1条件下,对Ti-6Al-2Sn-4Zr-6Mo（Ti6246）合金进行高温热压缩试验。研究温度、应变速率和应变......
半导体激光器由于其具有体积小、寿命长、可靠性高等优点被普遍的应用于社会中不同的领域。近年来,随着电子产品智能化的日趋精进,......
为研制符合高线性大功率的应变多量子阱激光器，文章在理论上计算了应变补偿，实验选用了金属有机物化学气相沉淀（MOCVD）工艺来研制生长A......
由于InGaAs与衬底GaAs之间的失配度比较大,难以获得高质量的外延材料。为了降低由于应变累积而产生的不良效果,本文通过理论推导和......
学位
近年来,在半导体纳米技术领域中,与量子点(QD)等半导体纳米单元结构功能相关的量子点生长制备技术及其光电器件的应用成为了研究热......
宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大......
在信息社会中，半导体激光器是一种重要的光电子器件。为了提高半导体激光器的性能，本文将光子晶体结构引入半导体激光器中，利用光子晶......
采用UTM5000电子万能拉伸试验机,在变形温度573～648 K和应变速率0.001～0.1 s-1条件下对2060-T8铝锂合金进行等温恒应变速率拉伸试验,......
期刊
本文提出一种多阱能量表象方法用来分析应变补偿多量子阶的价带结构．这一方法是把应变补偿多量子阶的价带厂点ｚ方向重轻空穴的能量本......
采用Gleeble-3500型热模拟试验机对Ti-2.7Cu合金进行等温恒应变速率压缩实验,研究其在变形温度740~890℃,应变速率0.001~10s-1范围......
