ZnO微纳米结构的制备、掺杂及性能研究

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,其激子能够在室温及以上温度下稳定存在,是制备半导体激光器(LDs)、发光二极管(LEDs)的理想材料。ZnO还是现今发现的微纳米结构最为丰富的材料;ZnO的纳米结构在制备纳米光电子器件和纳米电子器件方面有很好的应用价值;另外,ZnO的纳米结构还可以在场发射、医疗、生物传感等领域得到应用。为

【作者】

：

王维维

【机构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2008年05期

【关键词】

：

热蒸发法 ZnO纳米结构 Mg掺杂光学性能场发射

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