碳化硅是近年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一，与传统的Si 和GaAs半导体材料相比，SiC 具有大禁带宽度、高临界击穿电场强度、高热导率、高载流子饱和速率等优越的特性，随着SiC 材料制造工艺的不断进步和发展，在高温、大功率、高频、光电子、抗辐照等领域有广阔的应用前景，在微波功率器件中，4H-SiC MESFET 由于其高工作频率和大的功率密度，而引起了广泛的重视。对于功率放大器设计而言，为了获得最大功率输出，需要确定最佳负载阻抗，本文利用小信号法，综合考虑了寄生效应，给出了4H-SiC MESFET 的最佳源、负载阻抗的解析表达式，该表达式对A 类、B 类放大器都适用，并进一步并分析了极间电容和寄生电感对源、负载阻抗的影响，得到了一般性的结论，适用于器件、放大器的设计以及最佳源、负载阻抗的估算。 本文分析了4H-SiC MESFET 的小信号模型及其微波特性，并在此基础上提出了针对4H-SiC MESFET 放大器设计的两种匹配方法，一种是在其输出阻抗或者最佳负载阻抗已知的情况下，利用无源网络的阻抗变换功能实现匹配，并引入了传输线理论，结合Smith 圆图将分立元件构成的匹配网络转换成由分布参数元件构成的匹配网络。另一种是在器件S 参数已知的情形下，从放大器整体设计出发，以获得最大增益为目的，优化反射系数或者驻波比的匹配方法，最后用微带短截线实现4H-SiC MESFET 的匹配网络，并利用MATLAB RF Tools 模拟实现。