ZnO-TFT近些年来被发现具有一系列优点，如透光性高、导电性高、光敏性低、制作成本低、温度低等特点，被认为是最有可能取代现代大规模产业化的a-Si：HTFT，是未来最有希望的薄膜晶件管之一．引起国内外专家学者的普遍关注，许多文献报导了这方面工作的进展。　　本文采用半导体仿真软件Silvaco中Altas摸块对ZnO-TFT的器件结构和其相关电学特性进行仿真，研究ZnO-TFT器件的电学性能。主要通过对ZnO-TFT的二维结构仿真和相关电学特性分析，同时考虑ZnO薄膜中多晶晶态而采用深能级缺陷态与带尾态缺陷态同时存在的能带间隙缺陷态模型。经过文献理论与实验数据证明，该模型能够较准确地描述ZnO-TFT的电学性能。　　论立是在该模型的基础上给出了一种双栅结构ZnO-TFT，分析其工作机理得出三种工作模式，采用仿真软件对这三种工作模式的电学性能进行仿真分析和研究，通过转移特性和输出特性曲线得出TFT的四个电学性能参数—场效应迁移率、电流开关比、阈值电压、亚阈值斜率，分析对比确定出双栅结构的三种工作模式中DG工作模式的优越性。从中也得出源漏电电极与导电沟道层是否在一个平面对器件的电学性能有一定影响。　　其次在双栅结构ZnO-TFT的DG工作模式的仿真基础上，分析不同绝缘层材料对ZnO-TFT电学特性的影响，仿真结果表明绝缘层材料的介电常数对ZnO-TFT的阈值电压和开关电流比有着明显的影响。阿时分析不同有源层厚度以及绝缘层厚度对ZnO-TFT的相关电学特性的影响，在一定厚度变化下，有源层和绝缘层薄膜厚度越小器件的电学性能越好。