【摘 要】
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本文利用密度泛函理论方法,在B3LYP/LANL2DZ水平上研究了Cu掺杂Al团簇、Al掺杂Cu团簇及Cu和Al原子数目相同的双金属团簇的几何结构和电子性质。计算结果表明,Cu、Al组成的双金属团簇结构上也具有幻数效应的特征,Al6Cu-,Al7Cu,Al13Cu,Cu5Al,（CuAl）,（CuAl）2及（CuAl）5都是具有满壳层电子排布的幻数结构团簇,而电子性质的计算也证明上述团簇具有较低的
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本文利用密度泛函理论方法,在B3LYP/LANL2DZ水平上研究了Cu掺杂Al团簇、Al掺杂Cu团簇及Cu和Al原子数目相同的双金属团簇的几何结构和电子性质。计算结果表明,Cu、Al组成的双金属团簇结构上也具有幻数效应的特征,Al6Cu-,Al7Cu,Al13Cu,Cu5Al,（CuAl）,（CuAl）2及（CuAl）5都是具有满壳层电子排布的幻数结构团簇,而电子性质的计算也证明上述团簇具有较低的电子亲合能,较大的最高占据轨道与最低未占据轨道间的能隙和较高的电离势。利用密度泛函理论研究了CH2和CH3自由基在Cun（n=1-6）团簇上的吸附情况,计算了随着金属团簇尺寸的变化吸附体系的性质。计算和比较了CH2和CH3吸附在Cu团簇上的吸附能;分析了团簇中电荷转移情况;对C-H键的振动情况进行分析并与金属表面的频率进行比较;计算和比较了C-H对称伸缩频率的软化（红移）情况。利用PBE1PBE/LANL2DZ方法计算了AunAgm-（n+m=2-4）团簇的光电子光谱,计算得到的团簇DOS（Density of States）与实验测量的光电子光谱吻合得很好,说明优化得到的团簇结构是合理的。
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