近年来，随着对电子元器件低频噪声的深入研究，人们发现低频噪声能敏感地反映电子元器件内部潜在的缺陷。因此，可以用噪声来分析和表征电子元器件的质量和可靠性。与传统的方法相比较，噪声表征技术具有普遍适用性、高度灵敏性、非破坏性以及检测速度较快等优点。本文在电离辐照效应、1/f噪声产生物理机制等理论的基础上，进行了VDMOS器件的电性能测试、电离辐照实验以及噪声测试。获得了大量辐照前后VDMOS器件的电参数及噪声参数数据，并对VDMOS器件抗辐照能力的1/f噪声表征参量进行了深入研究，取得了以下研究成果：1．对不同沟道类型增强型的VDMOS器件、不同种类的军品和民品进行了60Co -g电离辐照实验，发现辐照前后1/f噪声的涨落与辐照引起阈值电压漂移、跨导退化之间有明显的相关性；2．对VDMOS器件在辐照前后电参数和噪声参数的比较，进一步从理论上分析了辐照前后阈值电压的漂移和线性区最大跨导的退化，从敏感性方面对两种表征方法做了比较，从理论上对两者的相关性方面做了证明；3．利用本文提供的VDMOS器件的抗辐照能力的分析方法，可以利用1/f噪声作为分析工具。通过测量VDMOS器件的1/f噪声，就可以对器件的质量、可靠性和抗辐照能力进行评估、表征和筛选。