RAlGe（R=La,Pr,Ce）化合物是继TaAs家族之后用于研究Weyl半金属的很好的平台。RAlGe（R=La,Pr,Ce）中的Weyl点的种类多样。例如,在同种材料中既有Type-I类型的Weyl点也有Type-II类型的Weyl点,而根据R原子的不同,既有磁性的Weyl半金属,又有无磁性的Weyl半金属。LaAlGe已经在实验中被证实是比较理想的Type-II的无磁性的Weyl半金属。PrAlGe和CeAlGe在理论计算中被证明是具有磁性的Weyl半金属。因此,本文的主要研究内容是利用角分辨光电子能谱仪技术去测量磁性Weyl半金属RAlGe（R=Pr,Ce）的能带结构。我们利用助熔剂法成功的生长出了大尺寸高质量的PrAlGe单晶和CeAlGe单晶,并且利用XRD和EDX对样品的结构和成分进行了表征,确定了我们所生长的样品就是理论计算的Weyl半金属PrAlGe和CeAlGe,其空间群为14₁md（109）。随后,我们在20K的温度,即PrAlGe单晶的居里温度以上,在上海同步辐射光源利用高分辨率普通角分辨光电子能谱仪（Normal ARPES）测量了PrAlGe单晶高温相的能带结构。首先,通过在高光子能量（472 eV）下测量了PrAlGe单晶在kx-ky面的电子态分布,我们确定了PrAlGe单晶在kx-ky面上的高对称点和高对称线的位置,然后通过改变光子能量测量了kz方向的电子态分布,寻找到了体高对称点的位置。随后我们在6K的温度下,光子能量为21.2 eV的情况下,测量了PrAlGe单晶k_x-k_y面的电子态分布。我们按照理论计算所给的位置测量其能带,我们确定了Type-I类型的Weyl点出现的位置和能量,但是由于样品表面变质太快,以及仪器分辨率的原因,并没有观察到清晰的Weyl点。我们在同样6 K的温度（CeAlGe局里温度以上）,21.2 eV的光子能量下测量了CeAlGe单晶k_x-k_y面的电子态分布。由于仪器的分辨率不高和样品解理面不平的问题,我们未能测量到清晰度高的能带和Weyl半金属的费米弧表面态。