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采用磁控溅射法（magnetronsputtering），使用Si(001)基片在室温下制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Nb薄膜及电极La0.5Sr0.5CoO3(LSCO）薄膜，采用溶胶－凝胶法(Sol-Gel)制备了Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3铁电薄膜，构建了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ni-Nb/Si（LSCO/PZT/LSCO/Ni-Nb/Si）硅基铁电电容器异质结。利用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪(PrecisionLCunit)研究了薄膜样品的结构及电容器的铁电性能。 研究发现，50nm的非晶Ni-Nb薄膜可以用作导电阻挡层应用在硅基铁电电容器的集成中。研究发现Pt/La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ni-Nb/Si铁电电容器具有良好的铁电性能。这说明异质结界面之间没有反应或互扩散现象，Ni-Nb薄膜在经历退火后仍然是金属态，XRD测试表明PZT具有良好的结晶情况。测量电压为5V时，铁电电容器具有较大的剩余极化强度Pr~35.5μC/cm2，较小的矫顽电压Vc~1.42V，较大的介电常数，其抗疲劳特性及保持特性均良好，说明非晶Ni-Nb薄膜是一种优良的阻挡层材料。 研究了Ni-Nb薄膜厚度对PZT电容器的影响，探讨了Ni-Nb薄膜用作阻挡层的最薄厚度。研究发现Ni-Nb薄膜厚度3.5nm时，PZT电容器仍然具有铁电性，电容器具有较饱和的电滞回线，Pr~18.4μC/cm2，Vc~1.4V，抗疲劳特性及保持特性良好。对其漏电流导电机理研究发现，属于欧姆导电机制。研究发现超薄的Ni-Nb阻挡层可用于硅基铁电电容器的集成。 研究了退火温度对含Ni-Nb阻挡层PZT电容器的影响，发现在对PZT进行530℃、550℃和560℃退火后，电容器仍然具有铁电性，Ni-Nb阻挡层没有失效。550℃退火下的样品的剩余极化强度最大，且矫顽场较对称，电滞回线饱和趋势较好。对三个样品的疲劳和保持特性进行测量发现530℃及560℃退火的样品DP均有不同程度的下降，550℃退火的样品DP基本上保持不变。