Ⅲ-Ⅵ族层状半导体化合物硒化镓（GaSe）因其独特的光学和电学性质引起关注。体材料GaSe被广泛应用在光电晶体管、光电子器件、太阳能电池和化学电池等领域,调节GaSe的结构和带隙成为改善其光电性能的重要研究方向。本文采用金刚石对顶砧（DAC）装置产生30 GPa的高压力,通过手工布线在金刚石表面构建测量电极,用红宝石放置样品腔内标定压力,对GaSe进行原位高压电阻率测量和高压阻抗谱测量,分析电阻率、变温电阻率、阻抗谱和弛豫频率等电学参量的变化规律,结合第一性原理等理论计算,验证GaSe样品高压金属化相变的事实,研究如下内容:原位高压电阻率测量显示:加压过程中,0-25 GPa电阻率随着压强的增大逐渐变小,25 GPa-27 GPa电阻率骤降3个数量级,持续加压至30 GPa过程中,电阻率变化不明显。卸压过程中,11 GPa-9 GPa电阻率再次出现上升拐点,直至常压时电阻率仍未恢复至初始值。根据前期高压XRD实验结果,我们推定26 GPa时GaSe样品电阻率异常是由于发生结构相变引起的。卸压至常压时电阻率未恢复至初始值,表明该结构相变不可逆。变温电阻率测量显示:压强在0-24.3 GPa范围内,电阻率随着温度的升高而减小,呈现为半导体性质,当压强超过26.2 GPa时,电阻率随着温度的升高而变大,呈现为金属特性,因此GaSe样品在26.1 GPa时发生的结构相变为金属化相变。高压交流阻抗谱测量显示:其中,在0-6.8 GPa范围内,存在两个不规则半圆弧,是由高频区域的晶粒和低频区域的晶界对载流子传导过程做的贡献所构成,总电阻由晶粒电阻和晶界电阻共同组成。超过6.8 GPa后,阻抗弧线向规则的完整半圆转变,低频的晶界效应消失,此时总电阻仅由晶粒电阻提供。当压强达到26.1 GPa时,电阻率骤降了3个数量级。随着压强的增加,虚部阻抗逐渐降低,弛豫峰位置逐渐向高频区移动并且强度下降明显,总电阻在26 GPa之后变化缓慢,表明GaSe样品的电输运行为在26 GPa处的异常与金属化结构相变有关。第一性原理计算表明:GaSe相变前P-6m2的焓值以及相变后P4mm的焓值相交在27 GPa,当压强小于27 GPa时,P-6m2焓值低,结构更加稳定。当压强大于27 GPa时,P4mm的焓值更低,结构更加稳定。压强增大导致原子间距减小,GaSe由常压下的直接间隙半导体变为间接间隙半导体,当压强达到30 GPa时,导带与价带交叠,越过费米能级,GaSe样品呈现为金属特性,发生了金属化相变。