碳化硅材料因其宽禁带、高热导率、高载流子迁移率等特性被广泛应用，但它却只对紫外光敏感，于是本课题组研究了Si/SiC异质结构以开发SiC材料在光学领域的应用，而在实际制备过程中，有很多因素影响薄膜的结晶品质和光学性能，因此有必要分析不同生长条件下薄膜的内部结构及其变化规律；碳化硅晶体是开发电子器件的重要材料之一，本实验室用PVT法生长了SiC晶体，但采用高分辨X射线衍射法测试晶片时，发现不同晶片的摇摆曲线线形有较大差异，结合实验条件分析了其原因。　　 X射线衍射(XRD)法因其样品制备简单且不影响后期的其他测试等特点成为分析材料的重要手段，通过XRD法分析了不同生长条件下制备的Si/SiC薄膜及SiC晶体的整体质量，根据衍射峰的变化计算了薄膜内部应力及半高宽的变化规律，分析了SiC晶体内部结构及测试条件对摇摆曲线的影响，并结合其他测试手段给出了薄膜及单晶样品生长的相对最佳条件。得出如下结论：　　 1.生长温度为875℃～900℃时，Si薄膜生长取向明显，平均晶粒尺寸约为150nm。　　 2.Si薄膜晶粒中存在的应力随衬底的不同而不同；硼烷流量越小应力越小；应力随薄膜厚度的增加而减小，当厚度超过1um时应力减小缓慢；衍射峰的半高宽随薄膜厚度的增加而减小，当厚度超过1um时几乎不再变化。　　 3.通过不同模型分析了Si/SiC的临界厚度，说明晶格失配是生长出多晶硅薄膜的根本原因，进一步探索高失配单晶薄膜的生长方法与技术。　　 4.通过对不同条件下SiC晶体衍射线进行分析得出线形变化的原因有kα双线展宽、测试参数的变化及实验条件影响下的晶格畸变。