SiC单晶相关论文
进入21世纪后，宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速，SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）先后进入商品化，在电动汽车......
SiC单晶以其优良的材料特性,在航空航天、大功率器件等领域的应用越来越广泛。但是,由于SiC单晶的硬度极高、脆性大,对其切削加工......
随着半导体技术的快速发展,碳化硅（SiC）凭借特有的禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高等优良特性,使其成为制造高温、高频、大功率......
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SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到......
本文报道采用升华法生长的大直径SiC单晶,升华过程是在低压高温下进行的,在解决了设备的稳定性和重复性问题后,得到可用来加工直径......
SiC可以作为基底直接在表面制备出具有优良特性的新型碳材料，包括碳纳米管，石墨烯。这个过程大多在超高真空腔(P＜10-9 Torr)、高真空......
使用四圆衍射仪和双晶衍射技术 ,分析了 Si C体单晶的结构和极性 .Si C单晶体由化学气相淀积法获得 .六方 { 10 15 }极图证明了该......
利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(Si C)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响。分析了感......
SiC陶瓷作为结构功能一体化材料,广泛应用于高温结构陶瓷组件,半导体器件和金属基复合材料。在这些应用中,经常涉及到熔融金属在Si......
碳化硅(SiC)单晶以其耐高温、导热性强、高电子饱和漂移率、低介电常数、抗冲击强和硬度高等特点,成为诸多环境复杂和条件要求苛刻......
本文以升华法实现了以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶。采用光学显微镜观察晶体纵切片,发......
随着社会的不断发展，硬脆性材料的应用日益广泛。在脆性材料的切割方法中，金刚石线锯切割技术以其较高的切片表面质量、锯缝窄、对环......
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体......
热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用。实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长......
使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性．SiC单晶体由化学气相淀积法获得．六方｛1015｝极图证明了该单晶结构为6H型．三......
利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多......
日本Air Water公司和大阪府立大学共同开发了8英寸大直径SiC单晶的制造技术，这在世界上尚属首次。该技术是用化学气相沉积法（CVD）在SO......
<正>Due to its extraordinary properties, such as wide band gap, high electronic drift velocity, high electric breakdown ......
超声线锯切割SiC单晶时,金刚石线锯的成本仅次于SiC单晶材料本身的成本。建立了超声辅助切割SiC单晶时线锯受力模型,对线锯受力和......
碳化硅（SIC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高......
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关,在SiCLED技术路线方面中涉及的核心技术,如SiC单晶底、外延、芯片和灯具......
采用有限元分析方法对物理气相传输法SiC单晶生长炉内温度场进行研究，采用有限元模拟软件对生长炉内温度分布进行模拟，得到了炉内温......
日本矢野经济研究所公布了电子部件等使用的SiC及GaN等单晶的市场调查结果。被该研究所称为功能性单晶的宽禁带（widegap）半导体用单......
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具......
Si C单晶具有良好的物理和机械性能,广泛应用于大功率器件和集成电路行业,但因高的硬度和脆性,使其切割、研磨和抛光加工过程成为......
利用Virtual Reactor模拟软件研究了大直径SiC晶体生长中坩埚在感应线圈内不同位置对坩埚内整体温度场、生长腔以及料源内温度场的......
本文利用数值模拟技术研究了PVT法生长SiC单晶的热场分布,分析了加热频率对热场分布和系统加热效率的影响。结果表明,坩埚发热密度......
介绍了碳化硅（SiC）材料的结构和特性,分析了SiC材料的应用领域及发展趋势,研究了其单晶衬底精密加工技术,该研究对提高SiC单晶衬底加......
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美国XtalTechnology公司首先研制成SIC单晶，该公司已经生产GaAS，InP和Ge单晶。美国XtalTechnology公司研制SIC单晶是该公司一个非常......
空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产......
碳化硅(SiC)单晶作为第三代主要的半导体晶体材料,以其独特的大禁带宽度、高击穿场强、高饱和电子漂移率、高热导率、强抗辐射能力......
利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多......
利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通......
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H—SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向，计算了SiC晶体......
我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-......
针对单晶SiC切割过程切割效率低,加工表面粗糙度和表面不平度差以及线锯磨损和断裂严重等问题,提出采用线锯横向施加超声振动的方......
为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺。实验表明,超声波辅助研......
SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域。但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难。本文分析了SiC单晶在......
SiC单晶化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,广泛用于大功率器件产业。但由于其材料的硬度很大,加工非常困难。......
本文以升华法实现了以（1015）面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶。采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现......
