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现代信息技术的发展,实现了信息的存储和处理。存储信息利用了磁性材料的磁矩,即电子的自旋自由度;处理信息通过半导体材料的电荷运动,即电子的电荷属性,但是两者一直独立发展,互不兼容。稀磁半导体能够同时利用电子的电荷属性和自旋属性,使材料既具有半导体性质又有磁性。因此,稀磁半导体材料受到了广泛的关注。实验中采用射频磁控溅射和直流磁控溅射交替溅射的方法,在Si(100)基片上沉积了SiC/Cu稀磁半导体纳米多层膜。采用XRD、XPS、XAFS、R-T、Hall和SQUID等结构表征及性能测试方法对SiC/C