【摘 要】
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应用自制的热丝(HF)CVD装置分别在硅和渗铬T10钢基底上沉积了HFCVD金刚石膜;在硅基底上沉积的金刚石膜中,除常规的(纯)金刚石膜之外,还有(金刚石+碳化钨)、(金刚石+碳化钼)以
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应用自制的热丝(HF)CVD装置分别在硅和渗铬T10钢基底上沉积了HFCVD金刚石膜;在硅基底上沉积的金刚石膜中,除常规的(纯)金刚石膜之外,还有(金刚石+碳化钨)、(金刚石+碳化钼)以及(金刚石+碳化钨+碳化钼)混合(改性)膜.分别研究了这些金刚石膜的形态、生成机制和影响条件,以及附着性能,并应用透射电镜研究了常规金刚石膜的晶体学特征和晶体缺陷.从热力学方面对金刚石二次形核进行了探讨,发现低压化学气相沉积金刚石的二次晶核优先在(100)晶面上和晶界上形成.研究了金刚石-碳钨化合物混合(改性)膜和金刚石-碳钼化合物混合(改性)膜,结果表明,(金刚石+碳钨化合物)混合膜的残余内应力比纯金刚石膜的小;(金刚石+碳钼化合物)混合膜界面处的钼使金刚石膜/基界面的空隙减少了.用扫描电子显微镜观察到多种外形的金刚石颗粒:截顶立方体、未截顶正八面体、截顶立方八面体、孪晶立方八面体、(孪晶)正十面体和(孪晶)正二十面体的金刚石颗粒.在T10钢表面渗铬形成一层铬碳化合物层从而消除了铁在金刚石沉积时催化石墨化,把在钢表面上沉积金刚石转变为铬碳化合物表面上沉积金刚石.研究了不同沉积工艺对渗铬层表面沉积金刚石的影响.
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