双极晶体管具有优良的特性,并且广泛应用在空间设备电子系统中。不同结构和不同栅氧化层GLPNP型晶体管对电离辐照损伤敏感性不同,因此分别研究不同栅氧化层厚度GLPNP型晶体管和不同结构GLPNP型晶体管的电离损伤效应是具有重要意义的。本文以不同栅氧化层厚度和不同结构的GLPNP型晶体管为研究对象,基于1MeV电子辐照试验,结合氢气浸泡试验,利用4200半导体参数测试仪和深能级瞬态谱测试仪,分别测试关键的电性能参数及辐射缺陷,揭示栅氧化层厚度和结构对GLPNP晶体管电性能退化和缺陷演化的影响规律。研究结果表明,在1MeV电子辐照时,随辐照注量的增加,不同栅氧化层厚度的GLPNP晶体管电流增益降低。当辐照注量相同时,与较厚的栅氧化层GLPNP晶体管相比,较薄的栅氧化层PNP晶体管电流增益退化更加严重,这说明薄栅氧化层的晶体管对1MeV电子辐照损伤更为敏感。在1MeV电子辐照时,随着辐照注量的增加,不同结构的GLPNP晶体管电性能均发生显著退化。当辐照注量相同时,具有最小发射区周长面积比和最大基区面积的结构辐照损伤最大,具有最大发射区周长面积比和最小基区面积的结构辐照损伤最小。经氢气浸泡处理后,随着1MeV电子辐照注量的增加,所有的GLPNP型双极晶体管电性能均发生明显退化。对于薄栅氧化层的双极晶体管,在相同辐照注量时,与未经氢气浸泡情况相比,经氢气浸泡处理的器件电性能退化减弱。对于厚栅氧化层的双极晶体管而言,在相同辐照注量时,与未经氢气浸泡情况相比,经氢气浸泡处理的器件电性能退化增强。经氢气浸泡处理与未经氢气浸泡处理的具有不同结构的GLPNP型双极晶体管的电性能退化规律相似。通过辐照感生缺陷分离计算,可知影响不同条件晶体管电性能退化的主要因素是界面态陷阱浓度的增加。通过深能级瞬态谱测试分析,与厚栅氧化层晶体管相比,薄栅氧化层晶体管DLTS信号峰值增加;浸泡氢气后薄栅氧化层晶体管信号峰向高温方向移动,且信号峰值降低,浸泡氢厚栅氧化层晶体管信号峰值明显增加。