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作者对在GaAs(100)面上用气相淀积生长方法得到的GaS薄膜进行了结构分析,并对GaS作为绝缘材料制备的MIS器件进行了电学分析.用光电子能谱(XPS)研究了超薄GaS/GaAs界面,分析了GaAs表面成份.对实际的GaAs microwave power MESFET进行硫钝化.
GaAs表面及其器件的硫钝化
【摘 要】
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作者对在GaAs(100)面上用气相淀积生长方法得到的GaS薄膜进行了结构分析,并对GaS作为绝缘材料制备的MIS器件进行了电学分析.用光电子能谱(XPS)研究了超薄GaS/GaAs界面,分析了
【机 构】
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复旦大学
【出 处】
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复旦大学
【发表日期】
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2000年期
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