钙钛矿氧化物材料是一类应用前景很广泛的材料，其结构一般都是由晶粒和晶界构成，根据前人得到的数据图，我们可以用电阻和电容的串联或者是并联来模拟其数据阻抗谱图。在本论文中，我们用并联的RC回路模拟了钙钛矿氧化物材料中晶粒和晶界的介电响应，进一步分析了多晶材料中晶粒和晶界的电阻、电容对复阻抗谱(Z″(ω)—Z′(ω))的影响。结果表明，一个RC回路可以用复阻抗平面的一个圆弧表征，并且可以得到等效电路的特征角频率、电阻值R和电容值C。进一步根据Z′(ω)-Z″(ω)/ω斜率的个数来判断，模拟电路中RC回路的个数。用高温固相反应法制备了钙钛矿锰氧化物材料HoMnO3，并用复阻抗分析谱研究了该材料在63Hz～1MHz频率范围内的介电响应行为，结果表明制备的氧化物材料是由晶粒和晶界组成的多晶材料；同时在低频部分复阻抗谱随着频率的减小而急剧上升，说明材料中还存在漏电导。在考虑漏电导和不考虑漏电导的两种情况下讨论了锰氧化物材料HoMnO3，同时分析了其形成原因。最后还测量HoMnO3在变温条件下的阻抗谱，并对其阻抗谱进行了模拟。