【摘 要】
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具有单轴面内各向异性的非晶Sm-Co薄膜在信息存储领域和自旋电子学领域中都具有广阔的应用前景。如何使“非晶Sm-Co薄膜的应用”从研究阶段走向实用阶段,以及如何在无外磁场诱导的情况下获得具有单轴面内各向异性的非晶Sm-Co薄膜,是Sm-Co材料研究者关注的重点。本论文以非晶Sm-Co薄膜为研究对象,通过多种手段引入应变,系统研究了由多场耦合作用带来的应变以及衬底的预应变对非晶Sm-Co薄膜各向异性
【机 构】
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中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
【出 处】
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中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
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具有单轴面内各向异性的非晶Sm-Co薄膜在信息存储领域和自旋电子学领域中都具有广阔的应用前景。如何使“非晶Sm-Co薄膜的应用”从研究阶段走向实用阶段,以及如何在无外磁场诱导的情况下获得具有单轴面内各向异性的非晶Sm-Co薄膜,是Sm-Co材料研究者关注的重点。本论文以非晶Sm-Co薄膜为研究对象,通过多种手段引入应变,系统研究了由多场耦合作用带来的应变以及衬底的预应变对非晶Sm-Co薄膜各向异性的影响。主要内容如下:1、在(011)取向的0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3
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