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具有庞磁电阻效应(CMR)的稀土掺杂类钙钛矿锰氧化物是一种半金属性的电子强关联体系。由于在磁存储和传感器方面的技术应用,磁性锰氧化物材料引起了人们广泛的关注,锰氧化物薄膜一直是热门的研究课题。因为锰氧化物三层膜的层间存在耦合效应,基于技术应用的层面,人们除了关注磁电阻的低场特性和可应用的温度区间外,也把注意力集中到锰氧化物三层膜蕴涵的磁学基础问题,比如层间耦合、交换偏置和新型的界面磁结构等。薄膜的微结构、磁各向异性、磁畴的变化及磁电阻的大小等都与应变有直接关系。因此对三层膜的应变分析有利