声表面波器件被广泛用于通信领域，而声表面波技术是集光学、声学、电子学以及半导体工艺技术等多门学科的边缘学科。作为声表面波传播的弹性固体即压电薄膜的制备及其性能研究就显得尤为重要。ZnO、AlN等压电薄膜以其优良的物理性能成为了发展高频声表面波器件的最佳材料。ZnO薄膜具有较好的压电特性，但其声速低于4000m/s，而a轴择优取向AlN薄膜具有大于11000m/s的高声速，但其压电性差于ZnO薄膜，若将a轴择优取向的AlN作为ZnO/diamond的中间层，即在金刚石衬底上沉积AlN薄膜，再在其上沉积ZnO薄膜，通过研究分析ZnO/(100)AlN/Diamond这种多层膜结构可以提高压电薄膜的综合性能，故开展课题基于SAW器件“ZnO/（100）AlN/Diamond”多层膜的制备研究。论文实验选用射频磁控溅射的方法，进行薄膜制备，实验发现氮化铝薄膜的生长取向及薄膜易富铝与靶基距、衬底温度、工作气压、氮氩比、溅射功率有很大关系，研究分析了各个工艺参数对沉积氮化铝薄膜过程中使得薄膜富铝的原因并解决薄膜富铝问题。经实验结果测试对比后，a轴取向氮化铝薄膜优化的参数为溅射功率为100W、靶基距3.5cm、工作气压为1.2Pa、温度为300℃、氮氩比为22:10，并且在此组参数下可以有效降低并使薄膜未成键的铝元素消失，在制得的AlN/Si(Diamond)衬底上，选用经过优化的制备氧化锌薄膜的参数为工作气压0.4Pa、氧氩比3:7、靶基距5cm、溅射功率100W、温度为200℃。进行复合压电薄膜的制备。最终制备出ZnO/(100)AlN/Diamond薄膜。通过XRD、SEM及AFM等测试设备得到测试结果，显示各步各沉积的薄膜在晶向及薄膜精糙度上均满足声表面波器件的需要。