高质量的平板显示器件的核心是薄膜晶体管（Thin film transistor，TFT）阵列的性能和制备技术。本文以研制出具有实用特性的TFT为目标，从掌握TFT制备技术出发，结合现有的实验条件，围绕TFT的有源层材料，在TFT的制备工艺和测试等方面开展了工作。　　 首先，研究了a-Si：H TFT的制备工艺。在玻璃和Kapton E塑料基底上分别制备了单个a-Si：H TFT及其阵列，所制备的 TF工具有以下性能：关态电流Ioff≈1×10-14A，开态电流Ion≈1×10-9A，阈值电压Vth≈5 V，迁移率μ≈0.1c㎡/（V.s），亚阈值斜率S≈4 V/dec。　　 其次，研究了a-IGZO TFT的制备工艺。系统研究了退火、绝缘层、氧空位、保护层和N掺入量等制备工艺对a-IGZO TFT性能的影响。在硅片基底上制备了以下性能的单个a-IGZOTFT：Ion～10-3 A，Ion/Ioff～106，Vth～0V，S～0.8 V/dec，μ～3c㎡/（V.s），△Vth～2V。并开展了a-IGZO TFT的光敏性能研究：光照后a-IGZON TFT在关态具有较大的光电流增益，可望在光电传感器上得到应用。最后，系统研究了a-IGZO TFT的各种可靠性，包括栅压偏应力、水氧稳定性、光照稳定性及温度偏应力。a-IGZO TFT能满足有源显示的应用要求。