随着以石墨烯为代表的二维纳米材料的迅猛发展,二维纳米材料在压电领域的基础及应用研究受到越来越多的重视和关注。单层二维纳米材料拥有诸多独特的物理和化学性能,在微纳米机器人、智能穿戴、仿生材料结构等领域具有广泛而巨大的应用潜力。此前,科研人员通过第一性原理理论计算方法已经预测出众多单层二维纳米材料存在卓越的压电特性,并且已有部分二维纳米材料的压电特性得到了实验证实。然而,随着微纳米技术水平的不断提高及其研究的深入,单层二维纳米材料的种类也在不断增加,当前仍有部分单层二维纳米材料的压电特性尚未得到关注和研究。因此,本文着重针对单层二硫化钼及具有类似磷烯晶格结构（Puckered结构）的Sn Te、Si Te、Ge Te等单层二维纳米材料的压电特性,开展第一性原理计算研究,主要研究内容如下。首先简要介绍了压电材料的发展概况、二维材料的兴起、二维压电材料的研究现状,明确了本文的选题依据和研究内容。接着,简要介绍了压电晶体的结构对称性、弹性常数、压电常数及其他性能参数,介绍第一性原理基础理论及计算压电特性的Berry-phase方法和密度泛函微扰理论计算方法。针对单层二硫化钼（SLMoS2）的压电特性,考虑到文献常见多种交换关联泛函用于SLMo S2电特性的计算,结合第一性原理计算方法的截断能和K点网格,研究不同交换关联泛函（LDA、PBE、PW91等）对晶格常数、电特性、弹性常数、压电常数等材料特性第一性原理计算结果的影响。对比计算结果与实验结果发现,LDA泛函计算所得的带隙更接近实验数据,但其弹性常数和压电常数的计算结果与实验值则相差较大;PBE和PW91泛函对SLMo S2晶格常数、杨氏模量和压电系数等材料特性的计算结果差异不明显,与LDA相比更接近于实验结果。针对具有puckered结构的SnTe、SiTe、GeTe等类磷烯二维纳米材料,基于PBE交换关联泛函,首次计算预测出其压电特性。研究结果表明,这些材料为间接带隙半导体,且具有固有的压电特性,其压电性能高于SLMo S2等其他二维纳米材料,其中Sn Te的压电常数为现有文献中数值最大的,具有重要的潜在应用价值。最后针对单层二维纳米材料常见的固有晶格缺陷,首次研究单原子空位缺陷对过渡金属硫化物（TMDCs）压电效应的影响。研究结果显示,晶格尺寸增加对材料弹性特性和压电常数的影响几乎可以忽略,而单原子空位缺陷可减小其晶格常数、能带带隙和杨氏模量,但却能增大其压电常数。本研究成果可为二维纳米材料压电特性的调整提供一种新的策略。